SEM（掃描電鏡，Scanning Electron Microscope）掃描電鏡用到的技術主要包括以下幾個方面：

一、基本原理技術

掃描電鏡是利用高能電子束掃描樣品表面，并通過檢測電子與樣品相互作用產生的信號來獲得樣品表面微觀結構的成像工具。其成像原理主要基于電子與物質的相互作用，包括：

二次電子（Secondary Electrons，SE）：由樣品表面的原子在受到電子束沖擊后發(fā)射出低能電子。二次電子信號對樣品的表面形貌有很高的敏感性，成像效果具有較好的三維立體感，主要用于顯示樣品的表面形貌。

背散射電子（Backscattered Electrons，BSE）：當入射電子與樣品中的原子核發(fā)生大角度彈性散射時產生的電子。背散射電子主要反映樣品的成分信息，原子序數(shù)越大的區(qū)域產生的背散射信號越強，因此可以觀察到不同元素之間的成分對比。

特征X射線：當電子束撞擊樣品原子時，內層電子被激發(fā)，外層電子填補空位時發(fā)射特征X射線。通過X射線光譜，可以分析樣品的元素組成。

二、關鍵組件與技術

電子槍：用于發(fā)射高能電子束，常見的類型有鎢絲電子槍、場發(fā)射電子槍等。鎢絲電子槍價格低廉但分辨率較低，場發(fā)射電子槍具有極高的分辨率，是目前G端SEM的標配。

聚光透鏡和物鏡：這些磁透鏡會進一步聚焦電子束，使之形成一個微小的探針，實現(xiàn)高精度成像。

掃描系統(tǒng)：通過電磁線圈將電子束逐行移動，逐步掃描樣品表面。

探測器：包括二次電子探測器、背散射電子探測器、能量色散X射線（EDX）探測器等，用于接收并轉換電子與樣品相互作用產生的信號。

真空系統(tǒng)：SEMB須在高真空環(huán)境下運行，主要因為電子在空氣中會發(fā)生散射，影響成像清晰度。

三、成像與分析技術

高分辨率成像：SEM掃描電鏡的分辨率可以達到納米級別，適用于觀察微小結構。通過調節(jié)透鏡電流和電子束的加速電壓，可以控制電子束的焦距和掃描速度，從而獲得不同分辨率的圖像。

立體成像能力：二次電子成像具有良好的景深，可以展示樣品的立體結構，便于理解樣品的形貌。

元素成分分析：配備能量色散X射線光譜儀（EDS）的SEM可以進行元素分析。通過分析特征X射線的能量或波長，可以確定樣品的元素組成和相對含量。

微觀結構觀察：掃描電鏡可用于觀察材料的晶粒、相界、孔隙等微觀結構，對于評估材料的力學性能和優(yōu)化加工工藝具有重要意義。

四、樣品制備技術

SEM掃描電鏡樣品的制備過程相對簡單，但也需要根據(jù)樣品的性質和觀察目的進行適當處理。非導電樣品需要涂覆金屬膜以避免充電效應，生物樣品需要脫水和固定以保持其形態(tài)結構。同時，樣品需要切割、研磨和拋光以達到適當?shù)某叽绾捅砻婀鉂嵍取?/span>

綜上所述，掃描電鏡用到的技術包括基本原理技術、關鍵組件與技術、成像與分析技術以及樣品制備技術等多個方面。這些技術的綜合應用使得SEM成為了一種廣泛應用于科學和工程領域的重要分析工具。